Характеристики транзисторов

Подробности

Категория: Начинающим

Опубликовано 29.11.2013 14:41

Автор: Admin

Просмотров: 20267

Характеристики транзисторов напрямую обуславливаются двумя схемами включения, которые широко распространены на данный момент. Наиболее приемлемыми считаются статистические характеристики входные и выходные, схема включения которых будет выглядеть либо с общей базой, либо с общим эмиттером.

Когда включается транзистор, интерес радиоэлектроников с точки зрения практики заключается в графической зависимости токовых показателей и напряжения на входе в цепи и на выходе из нее. На входе характеристики транзисторов обуславливаются вольт – амперными показателями, а на выходе – коллекторными или выходными вольт – амперными характеристиками.

Вольт-Амперные характеристики транзисторов

Как правило, с практической точки зрения схема включения самого транзистора с общим эмиттером считается более распространенной. Поэтому, в нашей статье разговор пойдет именно об этом способе подключения. Входные характеристики транзисторов статистические для схем подключения с общим эмиттером будет характеризовать график, который отображает зависимость тока на выходе базы Iб от база – эмиттерного напряжения Uбэ входных цепей при постоянных значениях показателя напряжения Uкэ на выходе цепи.

В общем, формула расчетов будет выглядеть следующим образом:

Iб=f(Uбэ), Uкэ=const.

Коллекторные характеристики, или, как их еще называют, выходные в транзисторе показывают прямую зависимость коллекторного тока от напряжения коллектора – эмиттера в цепи входной при постоянных показателях тока базы на входе в цепь.

Формула будет выглядеть следующим образом:

Ik=f(Uбэ) при Iб=const

Если показатель будет равен нулю, тогда характеристики входные транзисторов в графическом исполнении будут выглядеть в виде прямой ветви, которая характеризуется вольт – амперной характеристикой p–n перехода эмиттерного.

При увеличении токовый показатель базы будет пропорционально уменьшаться. Фактически данная закономерность заключается в том аспекте, что будет расти напряжение при значительном увеличении , которое склонно прилагаться к p–n переходу коллекторному в обратной последовательности. Из –за таких комбинаций возможно наблюдение рекомбинационных вероятностей зарядных носителей в самой базе, потому что огромное количество способны довольно быстро втягиваться в коллектор.

Характеристика показателей транзистора на выходе будет обеспечиваться напрямую величинами напряжения , которое будет прикладываться к переходу коллекторному П2. В схемах с общими эмиттерами данное напряжение будет определяться показателями разницы напряжений транзистора на выходе и на входе в цепи. Формула при этом будет выглядеть таким образом:

Мощность рассеивания транзистора

Это та мощность которую транзистор отдает в виде теплоты в процессе работы. В основном нагрев происходет в коллекторе транзитсора. Именно коллектор зачастую соединен с корпусом с целью лучшей теплоотдачи.

Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером

Это то напряжение при котом происходит пробой перехода, транзистор в этом случае выходит из строя. Данный параметр приводится в паспортных характеристиках.

Маркировка транзисторов

Как и многие полупроводниковые приборы сам транзистор обязательно должен иметь свои маркировки, которые заключаются в различных буквенных и цифровых комбинациях. При обозначении первейшей характеристикой будут непосредственно буквы, которые показывают тот факт, из чего изготовлен транзистор. Такими обозначениями, как правило, являются буквы Г, К и А. Соответственно транзистор был изготовлен из германия, кремния или арсенида галлия. Вторым элементом в маркировке будет указываться тип самого прибора.

Транзисторы по своей специфике делятся на Т – биполярные и П – полевые. Далее следует элемент обозначения, который указывает на номер разработки транзистора. Последняя же буква в транзисторе будет обозначать группу изделия, то есть отличие и различные особенности транзисторов такого типа. Давайте рассмотрим на примере маркировку транзистора КТ 315 Г. Характеристика исходя из маркировки будет следующей: транзистор будет кремниевым, разработка 315, группа Г.

• < Назад
• Вперёд >